肖特基SBD是肖特基勢(shì)壘二極管（Schottky Barrier Diode,縮寫成SBD）的簡(jiǎn)稱。SBD不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成PN結(jié)原理制作的，而是利用金屬與半導(dǎo)體接觸形成的金屬－半導(dǎo)體結(jié)原理制作的，因此，SBD也稱為金屬－半導(dǎo)體（接觸）二極管或表面勢(shì)壘二極管，它是一種熱載流子二極管。
    SBD的主要優(yōu)點(diǎn)包括兩個(gè)方面：
    1）由于肖特基勢(shì)壘高度低于PN結(jié)勢(shì)壘高度，故其正向?qū)�通門限電壓和正向壓降都比PN結(jié)二極管低（約低0.2V）。
    2）由于SBD是一種多數(shù)載流子導(dǎo)電器件，不存在少數(shù)載流子壽命和反向恢復(fù)問(wèn)題。SBD的反向恢復(fù)時(shí)間只是肖特基勢(shì)壘電容的充、放電時(shí)間，完全不同于PN結(jié)二極管的反向恢復(fù)時(shí)間。故開(kāi)關(guān)速度非�？�，開(kāi)關(guān)損耗也特別小，尤其適合于高頻應(yīng)用。 
    SBD具有開(kāi)關(guān)頻率高和正向壓降低等優(yōu)點(diǎn)，但其反向擊穿電壓比較低，最高僅約100V，以致于限制了其應(yīng)用范圍。